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半导体靶材概念股,半导体靶材公司

来源:趋业联创 阅读:发布时间: 2025年05月16日 10时29分29秒

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高纯硅靶材5N单晶多晶硅PVD微电子光伏半导体可制成9N单双掷电子级。主要产品: 高纯合金;稀土合金; C17200铍铜带材; C17410低铍铜带材;增材制造/3D打印;铍铜合金棒;铍铜合金带材;软铍铜;铍铜丝;铍铜铜棒;高钛不锈钢棒;铁素体不锈钢棒;铁素体不锈钢棒;低钛不锈钢卷材; 1.4016不锈钢;钛合金;镁合金;铝合金;铜合金;镍合金。用于光伏特种半导体器件的高纯硅靶材薄膜制备材料99.999%硅。

靶材是PVD的核心材料。我们已经提到PVD是制备电子薄膜材料的主要技术之一。根据沉积方法的不同,可分为溅射法和蒸发法。沉积的材料称为靶材料。具体来说,在半导体领域,石英材料主要应用于单晶硅晶圆制造和晶圆制造两个核心环节。

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芯片生产的导电层有铝线和铜线工艺两种。一般来说,110nm晶圆技术节点以上采用铝线,通常采用钛材料作为阻挡膜材料;铜线用于110nm晶圆技术节点以下,通常使用钽材料作为铜线的阻挡层。靶坯是受到高速离子束轰击的靶材。它是溅射靶材的核心部分,涉及高纯金属和晶粒取向控制。主要产品:高纯有色金属;贵金属材料;合金材料;溅射靶材;高熵合金。

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在半导体晶圆制造中,8英寸及以下晶圆通常采用铝工艺,所用靶材多为铝靶材和钛靶材。我国下游靶材中,平板显示器占49%,磁记录占28%,半导体占9%,太阳能电池占8%。半导体前驱体材料根据形成薄膜的材料性质可分为硅前驱体和金属前驱体;根据集成电路晶圆制造工艺,可分为高K前驱体和低K前驱体。

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粉末冶金主要有热等静压、热压、冷压烧结三种方法。靶材是将各种原料粉末混合,然后烧结成型而得到的。该方法的优点是靶材成分比较均匀,机械性能好,生产效率高,节省原材料成本。缺点是含氧量高、密度低。下游应用市场较为广阔,但总体主要集中在半导体、平板显示、信息存储、太阳能电池四大领域。四大板块占比约97%。高密度硒化锡溅射靶场效应晶体管太阳能电池镀SnSe2半导体薄膜。

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半导体前驱体产品主要用于半导体存储和逻辑芯片的CVD和ALD等沉积和成膜技术。这些技术属于90nm-14nm甚至7nm先进工艺的集成电路制造工艺,广泛应用于高端芯片制造,包括逻辑芯片。AI芯片、5G芯片、大容量存储和云计算芯片等。

在下游关键应用领域,2021年全球半导体目标为16.95亿美元,其中晶圆制造目标10.5亿美元,封装目标6.45亿美元; 2020年中国半导体/平板显示器/太阳能电池目标分别为10.5亿美元。 17/150/31.7亿元。



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